收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFD
1.0
0.8
0.6
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
1.0
0.8
0.6
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
T A = 125°C
T A = 150°C
0.4
0.4
T A = 85°C
V GS = -4.5V
T A = 25°C
0.2
0.2
T A = -55°C
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2.0
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
1.2
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.0
V GS = -1.8V
T A = 125°C
T A = 150°C
1.4
V GS = -1.5V
T A = 125°C
T A = 150°C
1.2
0.8
0.6
0.4
T A = -55°C
T A = 85°C
T A = 25°C
1.0
0.8
0.6
T A = 25°C
T A = -55°C
T A = 85°C
0.4
0.2
0.2
0
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.7
0
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
1.7
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 8 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1
0.9
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 9 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
1.3
V GS = 2.5V
I D = 250mA
V GS = 5.0V
I D = 500mA
0.8
0.7
V GS = -1.5V
I D = -50mA
0.6
1.1
0.9
0.7
V GS = -1.8V
I D = -100mA
V GS = -1.5V
I D = -50mA
0.5
0.4
0.3
0.2
V GS = 2.5V
I D = 250mA
V GS = 5.0V
I D = -500mA
0.1
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100
125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 On-Resistance Variation with Temperature
DMP21D0UFD
Datasheet Number: DS35364 Rev. 4 - 2
5 of 8
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP21D0UT-7 MOSFET P CH 20V 590A SOT523
DMP21D5UFB4-7B MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3
DMP2215L-7 MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
DMP2225L-7 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
DMP2240UDM-7 MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26
DMP2240UW-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
DMP22D4UFA-7B MOSFET P CH 20V 330MA
DMP22D6UT-7 MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523
相关代理商/技术参数
DMP21D0UT-7 功能描述:MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1
DMP21D5UFB4-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D5UFD-7 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2215L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2215L-7 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2225L-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube